来源:前沿教育2025-12-28 03:40:420
中国芯片世界排名第四。

美国半导体行业协会(SIA)预测,中国企业在全球半导体市场的份额将从2020年的9%增长到2024年的17.4%,这意味着中国将成为仅次于美国和韩国的全球第三大半导体生产国。中国集成电路是世界上少有的具有设计、制造、封测、装备和材料五大板块齐整的产业。
2020年全球芯片产能排名前五名的国家和地区分别是中国台湾、韩国、日本、中国大陆、美国。在将所有的产品折算成200mm的晶圆后,产能占比分别为21.4%、20.4%、15.8%、15.3%、12.6%。到2021年,中国大陆的产能将超过日本,成为全球第3,而中国台湾依然会排第一,韩国第二,其它的各地区和国家的排名不会改变。

中国芯片排名:
1、海思。由华为集成电路设计中心演变而来的海思半导体,是华为主要的芯片研发中、心。目前华为众多的手机、平板电脑的芯片,都是搭载其研制的麒麟芯片,而且,华为目前的笔记本电脑也开始使用自己的CPU了。当然海思还有巴龙芯片、升腾芯片、鲲鹏芯片。虽然华为在芯片领域多次遭受美国的封锁,但是华为依旧活的精彩。
2、清华紫光。清华紫光是30年前清华大学创办的一家校办企业起步,如今已成为中国最、大的综合性集成电路企业,也是全球第三大手机芯片企业,拥有世界先进的集成电路研制技术。

以上内容参考 百度百科-中国芯
氮化镓芯片全球第一!英诺赛科上市,NASA首席女科学家归国创立
今日,全球最大的氮化镓芯片制造品牌——英诺赛科,成功登陆港交所。此次发行价为30.86港元/股,开盘后市值一度涨至约300亿港元,截至收盘,总市值达272.54亿港元。英诺赛科是全球氮化镓功率半导体龙头,已连续两年荣登胡润研究院《全球独角兽榜》,是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。2023年,英诺赛科在全球所有氮化镓功率半导体公司中,出货量和营收均排名第一。
一、英诺赛科的发展历程
英诺赛科背后创始人是一位女性科学家,曾任美国宇航局(NASA)首席科学家的骆薇薇。骆薇薇毕业于新西兰梅西大学,2008年获得应用数学博士学位后,在美国宇航局(NASA)工作了15年,从高级项目经理一直做到首席科学家。2015年底,骆薇薇看到了第三代半导体产业的发展潜力,回国创办了英诺赛科公司。
2015年12月,骆薇薇在珠海成立了公司,作为小规模生产基地营运。随着珠海这家公司在研发及小规模生产方面取得进展并累积成果,其产能已经不再能满足生产需求。2017年,骆薇薇在邻近大量第三代半导体公司及供应商所在地苏州,成立了英诺赛科(苏州)科技股份有限公司。
在骆薇薇的带领下,英诺赛科先后建设完成了珠海、苏州两座半导体晶圆厂,在全世界范围内首次实现了氮化镓8英寸量产制造工艺,同时填补了国内在该领域的空白。目前,公司已拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。
二、英诺赛科的技术与市场地位
英诺赛科的核心竞争力除了其领先的技术研发实力之外,全产业链模式也是关键。公司自成立以来便采用了IDM一体化模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,实现了全产业链的自主可控,有效保证了产品的质量和性能,从而成功跻身全球氮化镓产业第一梯队。
根据弗若斯特沙利文的资料显示,2023年,以折算氮化镓分立器件出货量计,英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一,市占率高达42.4%。按照收入来看,英诺赛科2023年的收入为5.93亿元,市场份额达33.7%,同样在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一。截至2024年6月30日,英诺赛科的产能已达到每月12500片晶圆,累计出货量超过8.5亿颗。
英诺赛科产品已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED灯照明驱动等领域应用,并与国内多家应用头部企业开展深度合作,实现量产。其中,宁德时代是英诺赛科2023年最大的客户,贡献了1.9亿的收入,占总收入的比重高达32%。英诺赛科的VGaN系列芯片已成功应用在OPPO、联想、Realme、一加等品牌的多款智能手机中。同时,英诺赛科也是中国激光雷达巨头禾赛科技的供应商。此外,英诺赛科还与小米、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展应用开发合作。
三、英诺赛科的融资与上市
从2017年至2024年,英诺赛科累计完成了5轮融资,金额合计超过60亿元。投资方阵容包括SK、ARM、宁德时代(曾毓群)等行业巨头,也有招银国际资本、钛信投资、朗玛峰创投、海通创新以及吴江产投、武汉光谷等知名投资机构。
2021年英诺赛科的C轮融资中,宁德时代创始人曾毓群曾以个人名义向英诺赛科投资2亿元,这也是他首次以个人身份投资一家半导体公司。后于2023年曾毓群将股权转让给了妻子洪华灿。此后,从2022年开始,宁德时代也一直是英诺赛科的第一大客户。
今年12月18日,英诺赛科开始招股,中金公司、招银国际为联席保荐人。此次IPO,英诺赛科还引入了包括意法半导体、江苏国企混改基金、东方创联、苏州高端装备等4名基石投资者,合计认购金额1亿美元,超过本次IPO募资总额的一半。
四、英诺赛科的未来展望
虽在市占率上英诺赛科遥遥领先,但企业还是处于亏损状况。招股书显示,2021年至2024上半年,其营收分别为6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元和3.86亿元,同期公司经调整净亏损分别为10.81亿元、12.77亿元、10.16亿元和3.78亿元,合计亏损近38亿元。这主要源于公司成立之初就定下的IDM模式,这一模式下可以减少被“卡脖子”的风险,但也意味着公司需要预先投入大量资金从研发到建设产线。
不过,大量研发投入也是英诺赛科能全球领先的关键。截至2024年12月10日,公司在全球有406项专利及387项专利申请,涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。同时,英诺赛科还前瞻性地布局国际市场,在硅谷、首尔、比利时等地设立了子公司。
氮化镓作为一种新型半导体材料,是一个崭新的领域,也是为数不多与国外差距不大、我国最有可能实现弯道超车的领域之一,市场前景非常广阔。而英诺赛科已被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业,也是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。
通过此次在港上市,英诺赛科将获得更多资金的流入,助力其持续在研发产能方面的投入,实现在技术上的不断迭代和领先。同时,也能让其更好地对接国际资本,进一步助力海外市场扩张。当然,对于英诺赛科来说,要想持续发展,真正实现“自我造血”才是关键。随着氮化镓应用市场的快速增长,期待英诺赛科能早日扭亏为盈,为中国乃至全球第三代半导体产业发展贡献力量。
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